Etchlab200 经济型反应离子刻蚀机(可升级) |
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| 厂商名称： |
SENTHCH |
| 商品名称： |
经济型反应离子刻蚀机(可升级) |
| 商品型号： |
Etchlab200 |
| 简单信息： |
经济型刻蚀机应用范围：电介质，SiO2，Si3N4，半导体，硅和III-V族化合物，有机物，溅射/刻蚀金属-金Au,铂Pt,钛Ti用于微米级关键尺寸刻蚀。，上电极接地；通过下电极偏压，调控高离子能量和低离子密度。使用客户端--服务器架构控制，带interlock安全互锁，widows-XP操作系统� |
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RIE反应离子刻蚀Etchlab 200
• 经济型等离子刻蚀设备
• 可升级预真空锁LoadLock
• 可升级涡轮泵
• SENTECH控制软件
• 最大 8" 晶圆和晶圆托架
等离子体刻蚀的刻蚀etchlab200是一种基本成本的有效工具穿梭在干蚀刻工艺研发环境. 其模块化设计提供了逐步升级的抽水系统 负载锁及供气系统适应化学挑战和任务。
RIE反应离子刻蚀机Etchlab 200是针对研发应用的基本型高性价比干法刻蚀设备。 它的模块化设计使其能够逐步升级真空系统、预真空锁、供气系统，能够满足复杂的化学、任务应用要求。
Etchlab 200的模块化设计，直接装载晶圆，使其对任何加工处理都工艺简单、灵活运用。基本配置下的典型应用有刻蚀电介质膜(SiO2, Si3N4), 半导体(Si), 聚合物和金属材料(Au, Pt, Ti, Ni)。
反应腔 | 298 mm 直径, AlMgSi 0.5材料, 铰链连接顶盖 | 下电极 | 铝制水冷电极,电极直径215毫米,4"-8"晶圆，可提供小片晶片托架
| 上电极 | 硬铝镀层，带有淋浴头和中间光学终点探测窗口 | 真空系统 | 防腐蚀旋转油泵, 16 m3/h | 供气系统 | 2条气路，带有MFC和切断阀 | RF电源 | 13.56 MHz射频发生器, 600 W, 气冷 | 控制系统 | 远程控制器， Interbus, RFC基础联动装置 | 软件 | SENTECH控制软件, 包含图形界面，recipe控制操作，功能强大的recipe编辑器和数据资料记录 |
选项:
• 预真空锁LoadLock
• 更大真空系统，包含涡轮泵。
• 新增防蚀气体、腐蚀性气体气路。
• 循环冷却器,
• 反应腔加热系统,
• 刻蚀深度、终点探测气筒(NanoMes),
• 光学等离子体发射监测仪 |
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