| ICP-RIE感应耦合等离子刻蚀 |
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SI 500
- 高刻蚀速率
- 低损伤
- 高深宽比
- 预真空锁
- 最大 6"晶圆/样品托架
- SENTECH等离子设备控制软件，基于WinXP系统
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SI 500 C
- 低温刻蚀，针对 DRIE
- -150 – 400 °C基底温度
- 侧壁平整
- 低损伤
- 电极高度可调
- 最大 8"晶圆/样品托架
- SENTECH等离子设备控制软件，基于WinXP系统
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| PECVD/ICPECVD等离子沉积 |
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SI 500 D
- ICPECVD感应耦合等离子沉积SiO2 / Si3N4薄膜
- 高密度等离子沉积电介质膜
- 低温沉积高质量薄膜(80°C –130°C)
- 压力控制
- 最大6"晶元/样品托架
- 可沉积钝化、封顶、刻蚀掩膜、lift off等膜层
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SI 500 PPD
- PECVD等离子沉积SiO2 / Si3N4 薄膜
- 压力控制
- 最大8"晶元/样品托架
- 预真空锁
- Cassette到cassette操作方式
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| RIE反应离子刻蚀 |
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Etchlab 200
- 经济型，开盖式RIE反应离子刻蚀机
- 最大 8"晶圆
- 可升级预真空锁和涡轮分子泵
- 氟化物刻蚀
- SENTECH 等离子设备控制软件，基于WinXP
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SI 591
- 针对氯化物和氟化物刻蚀，带有预真空锁
- 广泛的应用recipes
- 最大 8"晶圆
- SENTECH 等离子设备控制软件，基于WinXP
- 针对VCSEL, HBT, 纳米结构，金属材料的刻蚀
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SI 100
- 台顶式系统
- 经济型，低价位
- 开盖式，手动载入样品
- 多晶圆刻蚀, 最多7 x 4"晶圆
- RIE刻蚀电介质和有机聚合物
- 表面刻蚀
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